半導體業；三五族化合物半導體磊晶片／MBE 分子束磊晶代工 櫃買中心上櫃
公司簡介
4971 對應證券為櫃買中心上櫃普通股 IET-KY，非 ETF、ETN、權證或特別股。公司中文名為英特磊科技股份有限公司，英文名 IntelliEPI Inc. (Cayman)，外國企業註冊地為開曼群島，主要營運主體為美國 Intelligent Epitaxy Technology, Inc.。Goodinfo 與玩股網揭露開曼控股公司成立日為 2011/04/26，上櫃日為 2013/07/24；公司早期營運團隊則源自 1999 年成立的 IntelliEPI／Intelligent Epitaxy Technology。公司登記地址為 PO Box 309, Ugland House, Grand Cayman, KY1-1104, Cayman Islands；英文官網說明公司總部位於美國德州 DFW Metroplex，NIST 資料列示擴產基地在 Allen, Texas。董事長為高永中，總經理為 Kevin Vargason，發言人為財務長王家齊，代理發言人王維寧。實收資本額約新台幣 471,857,430 元，已發行普通股 47,185,743 股，特別股 0 股，簽證會計師事務所為資誠聯合會計師事務所。2024 年永續報告書揭露 2024 年度員工合計 80 人，其中管理職 18 人、非管理職 62 人；NIST 另揭露美國 CHIPS 補助擴產案預期新增 40 個製造工作與 16 個建設工作。2026/05 董監與內部人資料顯示，大股東光紅建聖股份有限公司持股 7,586 張、約 16.08%；董事長高永中持股 209 張、約 0.44%；董事吳威憲持股 945 張、約 2.00%；董事吳藺曇持股 628 張、約 1.33%；總經理 Kevin Vargason 持股 221 張、約 0.47%。2025/12 公司公告與光聖（EZconn，6442）策略換股，完成後 IET 將持有光聖約 1.79%，光聖將持有 IET 約 15.26%，此與 2026/05 股東名冊中的光紅建聖持股高度相關，但公開資料未完全說明該法人與光聖的法律關係。
主要業務
IET-KY 是三五族化合物半導體磊晶片供應商，核心技術為分子束磊晶（MBE）與專利智慧型即時監控系統，商業模式以取得客戶提供或自購之化合物半導體基板後，依客戶規格進行高階磊晶片代工與專案型 MBE 硬體／機台銷售。主要產品包括：1. 磷化銦 InP HBT、PIN、APD、PD 等磊晶片，應用於高速光通訊、資料中心、高頻測試、低軌衛星與高頻通訊；2. 砷化鎵 GaAs pHEMT、HBT、VCSEL、QD laser 相關磊晶片，應用於射頻開關、低雜訊放大器、功率放大器、衛星通訊、汽車雷達、AI 資料中心光通訊發射端；3. 銻化鎵 GaSb、T2SLS、QWIP 等紅外線材料與磊晶片，應用於夜視、紅外線成像、國防感測、太空軍事、國土監控與生醫；4. 氮化鎵 GaN 二次長晶與 MBE 硬體構件／機台專案。2025 年營收約 10.79 億元、年增約 50.49%，營業利益約 1.74 億元，稅後淨利約 6,530 萬元，EPS 約 1.65 元，主要受 InP PIN PD 磊晶片需求放量、硬體構件與 MBE 機台銷售成長帶動。公開法說新聞指出 2025 年產品營收結構約為 InP 五成、GaAs 約 25%，其餘為 GaSb 與機台硬體銷售。公司客戶多未具名，公開資訊僅描述為 AI 光通訊、資料中心、高速光模組、國防、射頻／無線通訊與車用／雷達等領域大廠；公司官網曾列示過去取得 Vitesse Supplier Excellence 2003/2004 與 Skyworks Solutions Woburn Wafer Fab Best Supplier Award 2010，屬歷史客戶／獎項資訊，不代表 2026 年仍有相同營收關係。2025/12 與光聖策略換股，意義在於 IET 從上游磊晶材料向中下游光通訊元件、光被動元件與高頻連接器規格需求延伸。
2025–2028 展望
2025 至 2028 展望以 AI 資料中心光通訊、國防紅外線感測、5G／低軌衛星射頻、GaN 功率轉換與矽光子相關材料為主軸。2025 年公司已由虧轉盈，營收創高，InP PIN PD 成為最大成長貢獻來源。2026 年第一季營收 3.32 億元、毛利率 47.84%、稅後純益 7,869.9 萬元、EPS 1.97 元，顯示高附加價值 InP 與產能利用率提升對獲利槓桿明顯。公司對 2026 年的公開說法包括：AI 運算需求強勁、InP PIN PD 訂單持續放量、將擴充新機台、爭取更多基板配額、深化客戶合作；GaAs 將維持 pHEMT 量產並推進 200G VCSEL 與量子點雷射；GaSb 受國防紅外線需求支撐，產品偏高單價高規格；GaN 二次長晶已有固定客戶與定期購貨訂單，並嘗試在台灣建立本地生產與交貨模式。擴產面，美國德州半導體創新基金 2024 年宣布 412 萬美元補助，支援 Allen, Texas 新增 30,000 平方英尺晶圓生產設施，預計投資超過 4,100 萬美元、化合物半導體磊晶片年產能提升至接近三倍；2025 年美國商務部與 IntelliEPI 簽署 CHIPS Act 初步條款書，擬提供最高 1,030 萬美元直接補助，用於擴建與現代化 Allen 廠，支援 InP、GaAs、GaSb、GaN MBE 磊晶能力。2027 至 2028 的可見動能主要來自高速光傳輸由 800G 往 1.6T／更高速演進、AI 資料中心光收發模組增加 InP PD／APD 與高速雷射需求、國防與紅外線感測供應鏈在美國本土化、以及 GaN 功率元件在 AI 伺服器電源轉換與 5G 基地台滲透。主要風險包括：InP 基板與關鍵金屬供應短缺、日本基板廠歲修或中國出口管制造成交貨瓶頸；國防訂單與 MBE 機台屬專案型收入，驗收與認列時程不穩定；客戶集中與終端應用未具名造成能見度有限；擴產若認證、良率、設備交期或資金補助延遲，將影響產能爬坡；股價波動可能使可轉債或金融評價項目干擾損益；化合物半導體市場受同業產能、價格談判、原物料價格與地緣政治影響大。2027 至 2028 的營收與獲利數字未見公司正式量化指引，相關方向屬依公開法說與產業趨勢推估。
產業上下游
上游 - Riber S.A. 法國 MBE 設備供應商，與 IntelliEPI 合作開發並認證 MBE 8000 平台；非台股掛牌公司。
- InP／GaAs／GaSb 化合物半導體基板供應商 公司需採購或取得磷化銦、砷化鎵、銻化鎵等基板；公開新聞僅提及日本基板大廠歲修、中國出口管制與新供應商認證，未完整揭露供應商名稱。
- 銻、鎵等關鍵金屬與高純度材料供應商 GaSb 與 GaAs 產品需使用銻、鎵等關鍵金屬；公司公開說明已提前備足銻與鎵等關鍵金屬原料，具體供應商未揭露。
- 德州與美國 CHIPS／TSIF 補助體系 非商業供應商，但提供擴產資金來源；NIST 與德州州長辦公室資料顯示補助用於 Allen, Texas MBE 磊晶產能擴建。
下游 - 6 光聖 6442 台股上市公司，光通訊元件與高頻連接器廠；2025/12 與 IET-KY 公告策略換股，雙方擬深化 AI 資料中心與矽光子相關上下游垂直整合。
- AI 資料中心高速光模組與光通訊客戶 使用 InP PIN／PD／APD、HBT、VCSEL、QD laser 等磊晶片於高速光收發模組、AOC、資料中心光互連；多數客戶未公開具名，可能含美國、亞洲與全球光通訊廠。
- 國防與紅外線感測系統客戶 使用 GaSb、T2SLS、QWIP 等紅外線磊晶材料於夜視、紅外線成像、太空軍事與國防感測；公開新聞提及美國空軍國防合約，但未完整揭露承包商或終端客戶。
- 射頻、無線通訊、衛星與車用雷達客戶 使用 GaAs pHEMT／HBT 等磊晶片於射頻開關、LNA、PA、低軌衛星通訊、高頻測試與汽車雷達；具體客戶多未揭露。
- 台灣研究機構／GaN MBE 機台客戶 公開法說新聞提及 2025 年簽下之 MBE 機台訂單正交運至台灣研究機構，並可能建立台灣本地生產與交貨模式；機構名稱未揭露。
競爭對手
- 2 全新 2455 台股上市化合物半導體磊晶廠，主要涉 GaAs／InP 等磊晶與射頻、光通訊應用，與 IET-KY 在三五族磊晶供應鏈部分重疊。
- 3 聯亞 3081 台股上櫃光通訊磊晶與雷射相關公司，與 IET-KY 在 InP／光通訊材料與元件供應鏈具競爭或替代關係。
- 4 環宇-KY 4991 台股上市三五族半導體代工與化合物半導體相關公司，於 GaAs／HBT／pHEMT 與射頻應用供應鏈具可比性。
- 3 穩懋 3105 台股上櫃 GaAs 晶圓代工龍頭，主要位於下游晶圓代工環節；非純磊晶代工，但在化合物半導體射頻供應鏈具競合與客戶預算競爭關係。
- 8 宏捷科 8086 台股上櫃 GaAs 代工廠，與 IET-KY 在射頻與化合物半導體應用鏈具部分競合。
- IQE plc 英國上市化合物半導體磊晶片供應商，非台股掛牌；為全球三五族磊晶材料主要競爭者之一。
- AXT, Inc. 美國 Nasdaq 上市化合物半導體基板供應商，非台股掛牌；主要更偏上游基板，但在部分材料供應鏈與垂直整合面具可比性。
資料來源（15）
本段公司基本資料整理自公開資訊（公司年報、財報、新聞與法人報告），非 finlab 回測數據；2025–2028 展望含前瞻推估，僅供參考。